減產、漲價、發力HBM，存儲大廠紛紛展開自救

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過去近兩年來，受消費電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產業游進入庫存過剩、訂單減少、價格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、鎧俠等存儲芯片大廠紛紛減產、去庫存，但市場行情是否筑底眾說紛紜，整體產業回暖的跡象亦不明顯。然而，在生成式AI對算力需求的帶動下，2023年初以來高帶寬內存(HBM)在整個存儲芯片產業中可謂“這邊風景獨好”。目前，三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布局與搶占這一細分市場利好。三星等巨頭帶頭減產近來 NAND 閃存客戶需求低迷，三星電子此前計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備，并暫停存儲芯片第六代 V-NAND 成熟型制程報價。

此前據外媒 BusinessKorea 報道，在市場需求未明顯好轉的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫存依舊處在高位，下半年考慮將繼續減產。而據外媒引用供應鏈消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均價格將延續下跌態勢，環比跌幅 5%，超出此前預期的 3%。外媒稱，存儲行業人士表示，芯片制造商的存儲芯片庫存下跌速度，沒有他預料的那么快，庫存過剩問題可能延續至 2024 年上半年，目前第四季度交貨價格比預期要差。而當下產業預估的情況是“存儲芯片價格明年年初會上漲”，不過外媒表示，若價格跌勢未能按預期扭轉，相關產業產品“漲價的時間點將不可避免地延后”。減產之后就是漲價順應存儲芯片價格走出底部的定律，減產后的下一步就是漲價了，各大存儲芯片原廠上半年財報都虧怕了，進入下半年賽局要開始拿回發球權。三星旗下負責芯片業務的裝置解決方案事業部（Device Solutions）上半年財務擴損擴大，分析師預測DS部門全年虧損恐怕會來到百億美元，之前宣布大減產后，近期鐵了心調漲存儲芯片的價格。尤其時間來到下半年，快要年度打考績了，再不做出點成績（漲價），恐怕飯碗不保。手機市場復蘇緩慢，讓科技業渡過艱辛的一年。近期供應鏈逐漸釋出PC、手機的終端需求都有走出谷底的征兆，縱使需求升溫緩慢，但最糟的時間希望已經過去。因此，手機、消費性電子大廠經歷漫長的庫存消化后，部分零部件、芯片庫存開始有備貨需求，一些動作慢的廠商已經發現：買不到便宜芯片了！供應鏈表示，這幾個月來包括手機品牌廠、存儲模組廠的采購都輪流去韓國談NAND Flash價格，韓國大廠先發制人表示，減產后供需缺口達20%~30%，如果沒有在7月前簽約，現在才來追加貨源只能接受漲價。據了解，OPPO和vivo最緊張，小米、傳音已經從其他非韓渠道確保了NAND Flash供貨，這也看出來這一波NAND Flash漲價是上游原廠忍了很久后的大動作調漲。另外，一些嗅覺敏銳的模組廠已經偷偷提高庫存水位，買了一些低價芯片先囤著等漲價。不過，因為這一波景氣壞太久了，很多人看手機真正大規模復蘇要到2024年，因此現在是上游原廠拉抬價格賣力表演，逼迫品牌廠的采購接受漲價，而部分品牌大廠仍是抱持遲疑態度也是可以理解。

HBM風景獨美今年初以來，ChatGPT突然爆火，帶動了AI大模型的快速增長，使得具備高帶寬和低功耗特性的HBM成為處理大規模數據和復雜計算任務的理想選擇。據悉，2023年開年后，三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，價格也水漲船高，HBM3規格DRAM價格甚至上漲5倍。過去數月里，HBM乘AI東風，市場關注度大幅上升。據悉，三星電子、SK海力士等韓國本土存儲半導體企業正在推動HBM專用線的擴張。兩家公司計劃在2024年年底前投資超過2萬億韓元，使HBM生產線目前的產能增加一倍以上。SK海力士計劃利用利川現有HBM生產基地的清州工廠的閑置空間。三星電子正在考慮擴大位于忠清南道天安市的HBM核心生產線。另一大存儲大廠美光也很早就嗅到AI應用商機，于2019年在中國臺灣成立HBM部門。美光甚至表示，看好2022年至2025年HBM市場年復合成長率超50%。當前，HBM市場呈現三足鼎立格局。TrendForce研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士占50%、三星約40%、美光約占10%。從發展進程來看，2023-2024年將是AI建設爆發期，大量需求集中在AI訓練芯片上，勢必推升HBM使用量。預計2023年，HBM即便在原廠擴大產能的情況下，仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規劃看，預計2024年HBM供給位元量將年增長105%。另據semiconductor-digest預測，到2031年，全球高帶寬存儲器市場預計將從2022年的2.93億美元增長到34.34億美元，在2023-2031年的預測期內復合年增長率為31.3%。巨頭領跑，HBM3時代來臨2013年，SK海力士將TSV技術應用于DRAM，在業界首次成功研發出HBM。隨后，SK海力士、三星、美光等存儲巨頭在HBM領域展開了升級競賽。2020年，另一家存儲巨頭美光宣布加入到這一賽場中來。JEDEC表示，HBM3是一種創新的方法，是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案，對于高數據處理速率要求的應用場景來說至關重要，比如圖形處理和高性能計算的服務器。SK海力士早在2021年10月就開發出全球首款HBM3，2022年6月量產了HBM3 DRAM芯片，并將供貨英偉達，持續鞏固其市場領先地位。隨著英偉達使用HBM3 DRAM，數據中心或將迎來新一輪的性能革命。根據此前的資料介紹，SK海力士提供了兩種容量產品，一個是12層硅通孔技術垂直堆疊的24GB（196Gb），另一個則是8層堆疊的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的帶寬，前者的芯片高度也僅為30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s帶寬，HBM3的帶寬提高了78%。此外，HBM3內存還內置了片上糾錯技術，提高了產品的可靠性。SK海力士對于HBM的研發一直非常積極，為了滿足客戶不斷增加的期望，打破現有框架進行新技術開發勢在必行。SK海力士還在與HBM生態系統中的參與者（客戶、代工廠和IP公司等）通力合作，以提升生態系統等級。商業模式的轉變同樣是大勢所趨。作為HBM領軍企業，SK海力士將致力于在計算技術領域不斷取得進步，全力實現HBM的長期發展。三星也在積極跟進，在2022年技術發布會上發布的內存技術發展路線圖中，三星展示了涵蓋不同領域的內存接口演進的速度。首先，在云端高性能服務器領域，HBM已經成為了高端GPU的標配，這也是三星在重點投資的領域之一。HBM的特點是使用高級封裝技術，使用多層堆疊實現超高IO接口寬度，同時配合較高速的接口傳輸速率，從而實現高能效比的超高帶寬。在三星發布的路線圖中，2022年HBM3技術已經量產，其單芯片接口寬度可達1024bit，接口傳輸速率可達6.4Gbps，相比上一代提升1.8倍，從而實現單芯片接口帶寬819GB/s，如果使用6層堆疊可以實現4.8TB/s的總帶寬。2024年預計將實現接口速度高達7.2Gbps的HBM3p，從而將數據傳輸率相比這一代進一步提升10%，從而將堆疊的總帶寬提升到5TB/s以上。另外，這里的計算還沒有考慮到高級封裝技術帶來的高多層堆疊和內存寬度提升，預計2024年HBM3p單芯片和堆疊芯片都將實現更多的總帶寬提升。而這也將會成為人工智能應用的重要推動力，預計在2025年之后的新一代云端旗艦GPU中看到HBM3p的使用，從而進一步加強云端人工智能的算力。

存儲芯片將至未至的底部反轉或“遲到”兩個季度值得注意的是，目前存儲芯片行業似乎正從多角度證實即將觸底反彈，但760億A股龍頭兆易創新股價“依然冷靜”。事實上，將至未至的反轉甚至已經“姍姍來遲”。近日，市場調研機構Yole Intelligence更新了一份存儲芯片市場的監測數據報告，在Yole原本的預測中，全球存儲芯片市場將于2023年第二季度開始復蘇，但其最新報告指出對于2023年第三季度的存儲芯片市場不用再抱太大的希望，樂觀估計市場將從今年第四季度開始回暖。不過，預測存儲市場將在即將到來的第四季度復蘇的不只是Yole一家。據臺灣經濟日報、科技新報援引美國市場調查機構發布的最新報告稱，美光、西部數據等存儲芯片供貨商認為產品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。該調查機構預計，Q3起，存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產品合約價格很可能從Q4起出現上升拐點，不同產品線情況有別，明年有望全面復蘇。從市場面的消息來看，DRAM的復蘇可能相比NAND Flash來得更快一些。TrendForce集邦咨詢最新預計稱，第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0-5%。半導體產業縱橫7月25日發布的文章《存儲芯片的寒風，要停了》中指出，DRAM三季度觸底，NAND再等一季。此前有產業鏈人士表示，三星、SK海力士和美光三大廠商都希望在第三季度拉升DRAM訂單的合約價，目標漲幅7%-8%。不過，由于終端市場沒有看到明顯的復蘇跡象，因此上下游目前有明顯的拉鋸跡象。NAND方面，近日市場也傳出上游NAND原廠計劃從7月開始調漲價格的消息。此外，據網信辦5月消息，在中國存儲市場“占地不菲”的美光公司未能通過網絡安全審查，平安證券研報指出，2022年美光在中國大陸的營業收入為33.11億美元。分析人士指出，倘若美光在中國的業務受限，首先受益的自然是利基存儲市場。在技術壁壘相對較低的利基存儲領域，兆易創新是成長最快、實力最強的公司。此外，車載存儲龍頭北京君正和國內SLC NAND領域龍頭東芯股份有望受益。下游的存儲模組行業，江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍的eMMC及UFS產品在全球市場占有率為6.5%，全球第六，國內第一；佰維存儲的eMMC及UFS全球市占率2.4%，全球第八，國內第二。這兩家公司的主要供應商都包括美光。分析人士指出，雖然存儲芯片下游的庫存壓力還在，但通過主要廠商的動態以及行業分析數據來看底部就在眼前，為了趕上行業拐點之后的下一波旺周期，萬潤科技、力源信息、香農芯創和國芯科技等眾多廠商跨界布局。不過，分析人士亦指出，就算把國產存儲已有的公司兆易創新、北京君正、東芯股份和普冉股份等算上，目前國產存儲產品大都是在SSD模組和NOR Flash層面，很難觸及國際廠商大力推行的高端DRAM等市場，這就導致國產存儲廠商很難享受增量市場的紅利，需要在存儲市場供需中隨波逐流。

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