芯睿科技攜12英寸晶圓鍵合設(shè)備亮相CSEAC

(資料圖片僅供參考)

8月9日至11日，第十一屆（2023年）半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)暨半導(dǎo)體設(shè)備材料與核心部件展示會(huì)(CSEAC)在無(wú)錫舉行。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓鍵合設(shè)備廠商，蘇州芯睿科技有限公司（簡(jiǎn)稱“芯睿科技”）攜最新研發(fā)的12英寸設(shè)備精彩亮相參展。

芯睿科技是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體晶圓鍵合設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售的企業(yè)。通過(guò)十多年的研發(fā)，公司產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋半導(dǎo)體各領(lǐng)域（包括射頻器件、功率器件、先進(jìn)封裝、光通訊等），工藝能力覆蓋2至12英寸，是臨時(shí)鍵合、永久鍵合整體方案提供商。公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)均有20年以上的半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

近年來(lái)，隨著前道晶圓制造接近物理極限，追求先進(jìn)制程不再是晶圓廠唯一選擇，人們轉(zhuǎn)而思考通過(guò)其它方式來(lái)增加芯片中晶體管的密度，芯片的3D化是時(shí)下最主流、最熱門(mén)的方向之一。晶圓鍵合技術(shù)通過(guò)建立不同表面之間的分子、原子間作用力，實(shí)現(xiàn)高至納米級(jí)精度的互聯(lián)，或以臨時(shí)鍵合的技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓減薄，使工廠在仍使用現(xiàn)有設(shè)備的條件下，能夠在薄晶圓上實(shí)現(xiàn)各種制程，進(jìn)而支持先進(jìn)封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)與推廣，滿足超摩爾定律的要求。

在CSEAC半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)的新品發(fā)布專(zhuān)場(chǎng)上，芯睿科技資深業(yè)務(wù)總監(jiān)余文德介紹，公司最新自主研發(fā)生產(chǎn)的12英寸臨時(shí)鍵合設(shè)備可應(yīng)用于Fan-out、2.5D、3D interposer等先進(jìn)封裝相關(guān)工藝。鍵合腔體采用高真空、高溫和高壓設(shè)計(jì)，及具有專(zhuān)利的腔內(nèi)置中機(jī)構(gòu)，使得置中精度能夠達(dá)到≤50um。此外，該設(shè)備可以適應(yīng)市場(chǎng)上各種臨時(shí)鍵合材料，為客戶提供多樣性的選擇。

公司的12英寸激光解鍵合設(shè)備則搭載主流波段355nm固態(tài)激光源，并采用平頂光設(shè)計(jì)，避免單點(diǎn)能量過(guò)高對(duì)芯片造成損傷；光路的實(shí)時(shí)能量監(jiān)控功能，確保工藝流程中激光能量的穩(wěn)定性。此外，該設(shè)備腔體還配備載片分離模組，可以實(shí)現(xiàn)解鍵合后載片的自動(dòng)分離。

記者了解到，目前，高端晶圓級(jí)鍵合設(shè)備幾乎由奧地利EVG、德國(guó)蘇斯（SUSS）等國(guó)外廠商壟斷。芯睿科技希望在芯片3D化、晶圓堆疊方向助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（文章來(lái)源：上海證券報(bào)·中國(guó)證券網(wǎng)）

關(guān)鍵詞：